新素子開発によりMRAM大容量化が可能になる 10
ストーリー by Oliver
[A-Z]*RAM 部門より
[A-Z]*RAM 部門より
MIYU曰く、"産業技術総合研究所がMRAMの新素子を開発しています。（プレスリリース）MRAMはSRAM並に高速な読み書きが出来る上、フラッシュメモリの1/10程度の低消費電力、低電圧駆動、高集積、不揮発が原理的に見込めるという次世代メモリです。データ記憶には
トンネル磁気抵抗(TRM)素子を使っていますが、現在の素子では磁気抵抗が70%・出力電圧が200mVという数値が上限だった為、集積度を上げるとノイズが影響して、64Mbit～128Mbit程度で集積度の限界が来ると見られていました。今回開発された素子（酸化マグネシウムの単結晶を使用）では、磁気抵抗が88%・出力電圧が380mVという結果が得られていて、Gbit級MRAMを実現するために要求される400mVの出力電圧をほぼ達成しているそうです。
現在使われているDRAM・フラッシュメモリ等に替わるものとしては、
FeRAM(強誘電体メモリ)や
OUMなども候補に挙がっていますが、3つのメモリの特徴を比べた記事がMYCOM PC WEB、
CNET Japanなどに掲載されていますのでご覧になってみて下さい。"
IBMのMRAMとの比較が欲しかった (スコア:1)
IBMのMRAMとの比較がほしいですね。
今まで、MRAM実用化一番乗りは、IBMだと思っていたから。
ThinkPadに実装されるんじゃないかと期待しているんですが。
GoogleによるMRAM情報 (スコア:2, 参考になる)
2003年6月のMYCOMの報道 [mycom.co.jp]によると、IBMが製品を出してくるのは早ければ2005年になるようです。現行メモリーの一部を置き換えると有りますから量産が予定されているのでしょうか。容量その他の性能についての数値は見つけられませんでした。 日本IBMのプレスリリース [ibm.com]、 IBMプレスリリース（英文） [ibm.com]
同時期に米モトローラは １年以内にMRAMを量産する計画 [chemicaldaily.co.jp]を明らかにしています。
2003年10月には、 世界初の4Mbit MRAMのサンプル出荷 [mycom.co.jp]という記事が有りますが、日本モトローラ社のプレスリリースは現在は存在していません。
日本国内では、同じ2003年6月に、 NECと東芝が1メガビットMRAMを発表 [toshiba.co.jp]しています。
両社は2002年9月から MRAMの共同開発を開始 [chemicaldaily.co.jp]していて、2005年をめどに量産技術を確立することを目指しています。 2003年6月には NEDO [nedo.go.jp]からプロジェクトに対して助成金が出ています。また、「要素技術ではモトローラに追いついた」というコメントも見受けられました。（参考：電子情報通信学会集積回路研究専門委員会の平成15年4月研究会の プログラム [isp.ne.jp]）
大容量のMRAMが有れば、電源を入れると一瞬で起動するコンピューターを実現できますし、バッテリーが長持ちしますのでモバイル向きですよね。すぐに電源を切りたがる母親を見ていると、多分デジタル家電向けにも望ましいのだろうと思います。
MRAMがどの位の容量と価格で市場に出てくるのかが楽しみです。
＃ 最初は携帯電話じゃないでしょうか
トンネル磁気抵抗素子、ねぇ (スコア:1)
#コアメモリ現役の時代は知らない、っつーことでID
Re:トンネル磁気抵抗素子、ねぇ (スコア:1)
動作原理はイマイチ理解出来ない。
Re:トンネル磁気抵抗素子、ねぇ (スコア:2, 参考になる)
でも私もまだ良く読んでない(まて(苦笑
Re:トンネル磁気抵抗素子、ねぇ (スコア:2, 参考になる)
コアメモリを簡単に言えば、リング状の磁性体を右回りに磁化するか左回りに磁化するかで1 bit記録するもの。
リングの穴を通る電線に電流を流せば磁化して書き込めるし、磁化してる状態で更に電流を流して、磁場が反転するかどうかを誘導電流で読み出すと破壊読出しになるわけです。
なお、読み出すときに反転までいかないで90°の磁場をかけて、元の磁場に戻るときの誘導電流を読み出すという非破壊読出しも研究されてましたが、LSIメモリが圧倒しました。
ごめんてっきり (スコア:0, オフトピック)
Re:ごめんてっきり (スコア:0, オフトピック)
Re:ごめんてっきり (スコア:0)
RRAM (スコア:0)
素子に電圧をかけて抵抗値を変化させて記憶するというものらしいです（かなりうろ覚え）。