kazekiriによる
2007年04月06日 15時42分の掲載
一人三役部門より。
一人三役部門より。
ee1000mt 曰く、
Spansionが、2ビット/セル技術「MirrorBit」を適用したNOR型フラッシュと、NAND型フラッシュインターフェースを搭載した2ビット/セルの「ORNAND」型フラッシュ、4ビット/セル技術「MirrorBit Quad」を適用したORNAND型フラッシュを1つのダイに集積するMirrorBit Eclipseアーキテクチャを開発したと発表したようだ。 携帯電話では、プログラムコード格納に向けたNOR型フラッシュとデータ格納に向けたNAND型フラッシュの2チップを搭載したものがあり、今回のアーキテクチャはその市場を狙ったもののようである。NOR型フラッシュとORNAND型フラッシュを1つのダイに集積すれば、従来から部品コストを20~30%低減できるということらしい。メモリー・アレイの記憶容量は2G~8Gビットを想定し、サンプル出荷は2007年第3四半期からとのこと。
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NOR型とNAND型の違い (スコア:3, 参考になる)
NOR型:Intelが開発 信頼性高 読出速い 1バイト単位アクセス
NAND型:東芝が開発 書込速い 低実装面積 書込低電流
(相手の長所は己の短所。低実装面積→コスト安・大容量化可)
で、この記事のチップと競合しそうな三菱のDiNOR型って普及しているんですか>識者
おまけでちょっと古いけどわかりやすいんじゃないかと思ったJEITAの記事 [jeita.or.jp]
親コメント
Re:タイトルだけ読んで (スコア:3, すばらしい洞察)
肝心の”メモリ”というキーワードを省略しているので,意味不明ですね.
一回ぐらいは
- NOR型フラッシュメモリ
- NAND型フラッシュメモリ
と正しい名称を書きましょうよ.
親コメント