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アレゲなニュースと雑談サイト

Acanthopanaxによる 2008年05月08日 19時15分の掲載
ミッシング・リンク部門より。

あるAnonymous Coward 曰く、

抵抗・コンデンサ・インダクタに続く第4の受動素子「メモリスタ(memristor)」の製造にHP研究所が初めて成功した(EETimes Japanの記事Nature掲載論文)。抵抗値を変化させることで、その素子を通過する電流の変化を記憶する特性を備えている素子の存在の可能性は1971年に既に指摘されていたが、これまでそれが実現されることはなかったとのことだ。今回HP研究所が実現したメモリスタは、二酸化チタン(TiO2)の薄膜を利用して作成されており、電流が通過すると抵抗値が変化する。また、微細化を進めても無駄な消費電力による発熱の問題は生じないので、ナノスケールの回路作成に向いているということだ。HPでは、メモリスタを超高密度クロスバー・スイッチに適用することを目指しているという。

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  • 極小メモリ素子 (スコア:5, 参考になる)

    flutist (16098) : 2008年05月08日 20時23分 (#1341136)
    ただでさえ新技術ネタは「へぇすごいねぇ」で終わりがちなのに、このタレコミ文章ではネタが身近に感じられない。

    ・素子内を通過した電荷量に応じて、その素子の抵抗値が変わる現象を利用する
    ・電流を逆に流せば抵抗値をリセットできる
    ・従って、抵抗値をメモリとして利用できる
    ・素子は原子スケールですっごく小さいので、高集積化できる

    Nature の紹介記事には、電極やメモリスタとして働く部分の形成技術、抵抗値の変化できる幅、メモリスタの特性そのものについての理解などにまだまた進歩が必要とある。しかし、業界関係者の間ではムーアの法則もあと10年が限界だと見られているが、これをさらに伸ばせる技術だ、ともある。

    専門用語を並べる前に、分かりやすい言葉を使って説明してくれ。> あるAnonymous Coward
    (ウコギさんも頼むよ)

    ちなみに 1971 年の人は Leon Chua と言って、ご存命の様子。Memory Resister を略して memoristor と名付けたそうな。
    • shiraga (14233) : 2008年05月08日 20時41分 (#1341145)
      > 従って、抵抗値をメモリとして利用できる

      Nature Podcastでは、この部分を特に強調してましたね。
      さらに
      1. メモリの保持に電力を必要としない
      2. 微細化は、むしろこの素子の動作に関しては有利に働
      といった点も。
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  • SNT (23129) : 2008年05月08日 20時36分 (#1341140)
    低周波成分が高周波成分に影響を与えるわけだから、
    従来の周波数解析の手法とか使えなくなるよなぁと思った。

    回路設計を簡単に行うための手法開発が必要なのかなぁ。

    http://wiredvision.jp/news/200805/2008050123.html [wiredvision.jp]
    >memristorはこれまで、[カリフォルニア大学バークレー校の]Leon Chua氏が書いた一連の数学方程式の中で理論的に説明されただけのものだった。

    これで解析できるんだろうか。
    --
    賛同はACで。反論はIDで。カルマボーナスはチキン。
  • tama39 (35891) : 2008年05月09日 3時54分 (#1341289)
     電気部品図記号はどんなものになるでしょうね。

     あと、略号はmemory resistorから「Ms」辺りになるかと思ったものの、
    マグネット・スイッチの略号とかぶる模様。。

    # 調べてたら、JISで抵抗の記号が、ただの長方形になってて驚いた。
    # http://ja.wikipedia.org/wiki/%E9%9B%BB%E6%B0%97%E9%83%A8%E5%93%81%E5%9... [wikipedia.org]
    # CADで表示しやすいようにしたのかしらん。
  • 高速化するとヒステリシス損失で発熱しそうだな。
  • stereo_eye (26492) : 2008年05月08日 21時32分 (#1341174)
    門外漢なのでよく分からず書いているのですが...
    電流の変化を記憶する???
    電流の時間微分?を記録ってできるの?しかも受動素子で。
    これがよく分からないです。

    で、いろんなサイトの説明をみるとどうも流れた電流量を記憶するという説明が多かったです。
    これでは積分になってしまいます。

    実際はどっちなの?
  • saratoga (23467) : 2008年05月08日 23時51分 (#1341238) 日記
    流れた電流値を記憶しているというので、思わずこんなもの [biglobe.ne.jp]を思い出してしまいました。 単なるウイスカとかだったりして。
  • Anonymous Coward : 2008年05月09日 0時25分 (#1341251)
    できるかも。「超高密度クロスバースイッチ」が実現するならば夢ではない気もしますが。
  • yellow tadpole (7084) : 2008年05月09日 21時29分 (#1341651) 日記
    保持時間、外来ノイズ、温度、磁場、宇宙線など、何か弱点を抱えてるはず。
    まずは単純なメモリではなく、クロスバー交換機などという特殊な用途から実用化を目指すのは、
    保持時間がさほど長くなくてもいい用途だからじゃないのかな?
    あるいは極端に高コストなので、超高性能交換機という価格相場の存在しない分野でしか商売にならないとか。
    --
    〜◍
  • ots556556 (34248) : 2008年05月09日 8時53分 (#1341337)
    どちらかというと「教授、これは一体!?」の方を思い浮かべた。

    # 最近ネタのためにはオフトピも辞さないコメント多いな。人のこと言えないけど。
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