maia 曰く、

1億回以上の書き換えが可能な大容量フラッシュメモリが出現しそうだ。FujiSankei Business iの記事やTech-On!の記事などによれば、産業技術総合研究所と東京大学（竹内研究室）の共同研究で（プレスリリース）、FeFET（強誘電体ゲート電界効果トランジスタ）でNANDフラッシュメモリのメモリセルを作製したところ、1億回以上の書き換え耐性を持ち（従来は約1万回）、書き込み電圧は6V以下になるという（従来は20V）。また浮遊ゲートが存在しないため、セル間の容量結合ノイズが生じない等の理由により、微細化にも強く、将来の20nmや10nmプロセスにも対応すると期待される。どうやら、SSDの未来は明るそうだ。