hide.jikyll 曰く、

グラフェンを素材とする高速トランジスターの開発に、HRL Laboratories と IBM の T. J. Watson Research Center が相次いで成功しました (Technology Reviewの記事) 。どちらも DARPA の RF 応用カーボンエレクトロニクス (CERA) プログラムの一環として開発されたもので、まず、HRL Laboratories が今月 5 日に世界初の、グラフェンによる RF FET (最高クロック 14 GHz) を発表 (プレスリリース) 。続いて 12 日に IBM がグラフェン RF FET で 26 GHz を達成したことを公表しました (論文 PDF) 。HRL のはゲート長 2 μm (2000 nm) で、IBM のはゲート長 150 nm とのこと。

CERA プログラムの最終目標は 90 GHz 以上の信号増幅回路を実現することと設定されていますが、マンチェスター大学教授でグラフェン発見者の Andre Geim 氏によると「グラフェンにとって 90 GHz なんて屁でもない、その 10 倍はいける」とのことで、THz クラスも夢ではないそうです。

グラフェンについては今年 1 月の記事「 炭素の単原子シートにシリコンを超える半導体の可能性 」および 3 月の記事「ポストシリコンの物質はグラフェン ?」参照。