グラフェンを素材とする高速トランジスターの開発に、HRL LaboratoriesとIBMのT. J. Watson Research Centerが相次いで成功しました（Technology Reviewの記事）。どちらもDARPAのRF応用カーボンエレクトロニクス(CERA)プログラムの一環として開発されたもので、まず、HRL Laboratoriesが今月5日に世界初の、グラフェンによるRF FET（最高クロック14GHz）を発表（プレスリリース）。続いて12日にIBMがグラフェンRF FETで26GHzを達成したことを公表しました（論文PDF）。HRLのはゲート長2μm（2000nm）で、IBMのはゲート長150nmとのこと。

CERAプログラムの最終目標は90GHz以上の信号増幅回路を実現することと設定されていますが、マンチェスター大学教授でグラフェン発見者のAndre Geim氏によると「グラフェンにとって90GHzなんて屁でもない、その10倍はいける」とのことで、THzクラスも夢ではないそうです。