かなりぼったくりですな。
別ベンダに変えた方がよろしいかと。

PNPはゲルマニウムの方が作りやすく、NPNはシリコンの方が作りやすいと
約40年前の「初歩のラジオ」のトランジスタ入門講座にあったような・・・
また、
2SJ→PチャネルFET(接合部2つで1ゲート)
2SK→NチャネルFET(接合部2つで1ゲート)
です。
FETは接合(ジャンクション)型の他にMOS(酸化金属被膜)型などがあって
回路図記号でも区別されます。

> 改心の一撃連発です
改心してまだ逃げようとする同僚を一撃ですね！
分かります。